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Dynex Semiconductor est un fabricant de composants mondialement
reconnu et propose ses services dans le domaine des semi-conducteurs de puissance et circuits intégrés. Ses semi-conducteurs de puissance sont utilisés pour améliorer le rendement, la fiabilité et la qualité des convertisseurs d’électronique de puissance dans les applications suivantes: - Transmission et distribution d’électricité de grande puissance ( HVDC), - Générateurs de courant alternatif, - Traction ferroviaire et marine, - Aérospatiale, - Médical, - Industrie lourde, tel que métallurgie et mines, - Télécommunication, - Véhicules électriques. La division Puissance de Dynex Semiconductor à été crée dans les années 50 à Lincoln – UK – sous le nom de AEI Semiconductors Ltd. A cette époque, la société avait introduit les premiers semi-conducteurs de puissance au silicium au monde. Depuis, nous avons acquis les produits et compétences technologiques de sociétés de renommée internationales telles que GEC, SGS-Thomson, Alsthom DRE et Marconi Electronics Devices Ltd ( MEDL). Aujourd’ hui, le siège social de Dynex Semiconductor Ltd, la production, la fabrication des wafers, les ventes, le marketing, la Recherche et Développement sont regroupés dans notre usine de Lincoln, UK. Cette usine moderne et remarquablement équipée a été rachetée à Mitel en janvier 2000. Elle inclut plus de 4000 m² de salles blanches récemment rénovées et dédiées à la fabrication des semi-conducteurs de puissance, synonyme d’innovation de qualité et de fiabilité. |    |
Semi-conducteurs de Puissance – IGBT
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Dynex propose une gamme de puces et modules IGBT s’étalant de
1,200V à 6,500V et de 100Amp à 2,400Amp. Les configurations principales sont : single switch, dual switches, demi-pont – chopper et bi-directionnel switch. Ces modules sont étudiés et fabriqués pour répondre aux demandes les plus exigeantes du marché. Dynex Semiconductor a développé sa propre technologie IGBT, et fabrique ses propre wafers dans son usine dédiée de Lincoln, garant d’une maîtrise totale du process, allant de la puce au module testé. Les puces IGBT et FRD ( fast recovery diode) sont donc également disponibles en wafers ou en rouleaux. Dynex est une source véritablement indépendante de modules IGBT de puissance pour les applications de haute fiabilité telles que la traction ferroviaire, le chauffage par induction, les générateurs pour éoliennes, les commandes industrielles de moteur et les véhicules électriques. |  |
Semi-conducteurs de Puissance – produits Bipolaires
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Dynex fabrique également une gamme complète de thyristors pour
contrôle de phase, diodes de redressement, thyristors rapides et asymétriques, thyristors GTO, thyristors pour applications fort courant pulsé ( Pulse PowerThyristor ), et diodes rapides. Les tensions s’échelonnent de 1200V pour le raccordement direct aux réseaux 400V à 8,500V pour les applications haute tension. Les intensités s’échelonnent de 100 A à 11000 A. Dynex peut fournir pour chacun de ces produits un système de clampage adapté que le client peut utiliser sur ses propres dissipateurs. Dynex peut aussi étudier votre cahier des charges et vous proposer ses semi-conducteurs montés sur radiateur avec snubbers statiques ou dynamiques. |  |
Semi-conducteurs de Puissance – Assemblages de puissance
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Au sein de notre division « Assemblages de Puissance Solutions
Complètes » ( PACS), nos ingénieurs spécialisés en mécanique et électronique de puissance vous propose l’étude de votre cahier des charges et la réalisation de solutions complètes incluant les protections et certaines cartes de commande. Nos ingénieurs partagent leurs compétences et nos bases de données techniques pour vous offrir la solution optimale. |  |
Circuits intégrés SOS ( Silicon on Saphire )
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L’usine Dynex au Royaume Unis est unique dans de sens qu’elle
développe et fabrique des composants pour le domaine spatial sur un seul site. Nous sommes un des leaders mondiaux dans ce domaine avec plus de 20 ans d’expérience. Le « Silicium sur Saphir » est une technologie mature, forte de nombreux succès commerciaux dans les programmes spatiaux. Les informations sur la tenue aux radiations sont disponibles pour bon nombre de nos produits et la plupart d’entre eux sont conformes à la norme MIL STD 883 méthode 1019 ( tenue aux radiations). Notre système de qualité est global et respecte entièrement la norme MIL STD 883 pour les USA, et BSE9001 pour l’Europe. Nous constatons une demande croissante pour les équipements spatiaux capable de survivre et de fonctionner correctement sous de fortes doses de radiation. Pour cela, seul le SOS offre la tenue correspondante. |  |
SOS : résistance aux radiations
| Total Dose [Rad (Si)] | 10^6 |
| Single Event Upset [Errors/bitday] | 10^-11 |
| Neutrons[Neutron/cm2] | 10^15 |
| Transient Upset | 10^12 |
| Latch up | Immune |
Assurance Qualité
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En tant que Fabricant de semiconducteurs de puissance, Dynex
Semiconductor fonctionne selon le principe du T.Q.M. ( Total Quality
Management) de façon à offrir à ses clients les services et produits
du plus haut standard. Le système focalise en permanence sur le
besoin client et intègre un programme d’accroissement continu des
technologies, process de fabrication et installations. Dynex participe également à la préservation de l’environnement en intégrant ce concept de façon permanente sur ses lignes de production. Dynex Semiconductor Ltd est certifié ISO9001 et ISO14001 : ISO 9001:2000 Certificate ISO 14001:2004 Certificate Position de Dynex à propos de la directive RoHS : Déclaration de conformité Enregistrée en Angleterre et Pays de Galles sous le numéro: No 3824626 Adresse du Siège: Doddington Road, Lincoln, United Kingdom, LN6 3LF |
| Copyright © 2008 Dynex Semiconductor Copyright © 1995-2008 I-Next Ltd |
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