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Dynex-Semiconductor ist einer der Global Players bei der Lieferung
von Produkten und Dienstleistungen im Leistungshalbleiterbereich und bei ICs(Integrierte Schaltkreise). Dynex Leistungshalbleiter werden eingesetzt um den Wirkungsgrad, die Zuverlässigkeit und die Qualität der elektrischen Energie in folgenden Bereichen zu verbessern und damit Resourcen zu schonen und Lebensqualität zu erhöhen; - Bei Energieübertragung und Verteilung, - In Alternativen Energiequellen, - In Schiffs- und Schienenfahrzeug Antrieben, - In der Weltraumfahrt, - In medizinischer Ausrüstung, - In der Schwerindustrie wie Stahl und Bergbau, - In der Telekommunikation. - In elektrisch angetriebenen Fahrzeuge. Das Dynex Leistungshalbleiter Geschäft wurde ursprünglich vor mehr als 50 Jahren in Lincoln gegründet, damals als AEI Halbleiter Ltd firmierend. In dieser Zeit entwickelte die Firma einige der ersten siliziumbasierten Leistungshalbleiter Komponenten der Welt. Seit dieser Zeit wurden die Leistungshalbleitersparten folgender namhafter Firmen erworben und in Dynex integriert: GEC, SGS-Thomson, Alstom und Marconi Electronic Devices Ltd (MEDL). Heutzutage ist das Hauptquartier von Dynex Semiconductor auf einem Fabrikgelände in Lincoln/England beheimatet. Dort befinden sich gleichzeitig auch die Siliziumdiffusion, die Komponentenfertigung, der Vertrieb, das Marketing und die Forschung und Entwicklung. Die modern ausgestattete Fabrik - ein Synonym für Innovation, Qualität und Zuverlässigkeit - umfasst über 4000 Quadratmeter Reinraumfläche, die einzig der Erzeugung von Leistungshalbleiter-Produkten dient. |    |
Leistungshalbleiter - IGBTs
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Dynex bietet eine Reihe von IGBT Modulen und IGBT Chips an. Die
Modul-Familie umfasst den Sperrspannnungsbereich von 1,200V bis 6500V und Nennströme von 100A bis 2,400A. Die Module gibt es konfiguriert als bidirektionale Schalter, Einzelschalter, Halbbrückenschalter, Tiefsetz- und Hochsetzstellerschalter. Die Module werden mit der Vorgabe entwickelt und gefertigt, den strengsten Leistungsanforderungen des Marktes gerecht zu werden. Das inhaus IGBT Entwicklungsteam entwickelt die IGBT Chips und Module, die dann in der extra dafür gebauten Fab in Lincoln gefertigt werden. Diese Nähe erleichtert die umfassende Kontrolle der Fertigungsverfahren vom Chip bis zu den geprüften Modulen. Alle IGBT und FRD Chips sind auch als Wafer lieferbar, entweder auf Klebefolie oder im Wafflepack. Dynex ist eine der wenigen, unabhängigen Quellen für IGBT Hochleistungstechnologie für Anwendungen mit hoher Anforderung an die Zuverlässigkeit, wie Eisenbahnantriebe, Induktionserwärmung, Windkraftgeneratoren, Industriemotorantriebe und elektrische Fahrzeuge. |  |
Leistungshalbleiter - Bipolar
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Dynex stellt auch eine umfassende Reihe von Netzthyristoren(SCR),
Netzdioden, Asymmetrischen und Schnellen Thyristoren, GTO-Thyristoren(GTO), Pulspower-Thyristoren und Schnellen Dioden her. Sperrspannunen reichen von 1200V für den Direktanschluss ans 400V Netz bis zu 8,500V für Hochspannungsanwendungen. Die Nennströme gehen von einigen hundert Ampere bis 11,000A. Dynex kann diese Produkte zusammen mit seiner eigenen Reihe von hochqualitativen Spannvorrichtungen(Clamps) liefern. Dies erleichtert dem Kunden die Konstruktion des Leistungsteils mit der Kühlung. Dynex bietet auch an die thermische Auslegung und den Bau des gesamten Leistungsteils zu übernehmen. Dazu gehören Kühlkörper, Schutzbeschaltungen, Treiberschaltungen sowie Symetrierungskomponenten. |  |
Leistungshalbleiter - Satzbau
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Die Satzbaugruppe(Power Assembly Complete -PACs) bietet
Komplettlösungen an. Bei Design und Bau wird die Sachkenntniss der Dynex Leistungselektronikexperten, der Maschinenbau- Feinwerkstechnik- und Elektrotechnik-Ingenieure genutzt. Diese können nach Kundenvorgabe eine Komplettlösung erarbeiten, einschließlich Ansteuer- und Schutzelektronik. Die Dynex Satzbaugruppe hat direkten Zugriff auf alle verfügbaren Ressourcen in Design und Test, um dem Kunden zügig die optimale Lösung anzubieten. |  |
SOS – Silicon on Saphire - Integrierte Schaltkreise
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Die Dynex Fabrik in England ist einzigartig in der Fähigkeit
komplette Elektronikkomponenten für die Raumfahrt fertigen zu können. Die Fabrik ist mit einer über 20-jährigen Erfahrung Weltmarktführer in dem Bau von Raumfahrtelekronik. SOS(Silicon on Saphire) ist eine ausgereifte Technologie mit einer langen und erfolgreichen Geschichte im Einsatz bei Raumfahrtprogrammen. Umfassende Strahlenfestigkeitsdaten sind für die meisten Dynex Raumfahrtprodukte vorhanden. Die Komponenten werden nach MIL STD 883 Methode 1019(Totaldosis-Strahlenprüfung) getestet. Das Qualitätssystem hält alle Voraussetzungen, nach MIL883 in den USA und BSE9001 in Europa, ein. Es gibt eine zunehmende Nachfrage nach Raumfahrtsystemen, die Strahleneinwirkungen überleben und den fortlaufenden Betrieb sichern können. Von allen gegenwärtig verfügbaren Halbleitertechnologien bietet nur SOS den notwendigen Widerstand gegen die Gefahren eines Ausfalles durch Einzelereignis, Kurzzeitbestrahlung oder Dauerbestrahlung an. |  |
SOS - Strahlenhärte-Zusammenfassung
| Gesamtdosis [Rad (Si)] | 10^6 |
| Einzelnes Ereignis [Errors/bitday] | 10^-11 |
| Neutronen [Neutron/cm2] | 10^15 |
| Kurzzeitereignisse | 10^12 |
| Latch up | Immune |
Qualitätssicherung
Als einer der Hauptlieferanten von Hochleistungshalbleitern und
Satzbauten betreibt Dynex ein TQM(Total Quality Management) System, das
darauf ausgerichtet ist, die Kunden mit Produkten und Dienstleistungen
auf höchstem Niveau zu versorgen. Das System ist prozessbasiert und
konzentriert sich auf die Einhaltung der vom Kunden gestellten
Anforderungen durch ein Programm der dauernden Verbesserung der
Technologien, Prozesse und Einrichtungen.
Dynex trägt zur
Bewahrung unserer Umwelt bei, indem das inhaus- Umweltmanagementsystem
als ein wichtiger Bestandteil guter Geschäftsführung betrachtet wird und
ständig verbessert wird.
Dynex-Semiconductor Ltd ist
zertifiziert nach ISO 9001:2000 und ISO 14001:2004.
ISO
9001:2000 Bescheinigung
ISO
14001:2004 Bescheinigung
Die Position von Dynex zur EU
"Vorschrift zur Beschränkung von Gefahrstoffen" (RoHS)
Allgemeine
Erklärung zur Einhaltung dieser Vorschrift
Eingetragen im Handelsregister von England und Wales: No 3824626
Eingetragener
Firmensitz: Doddington Road, Lincoln, United Kingdom, LN6 3LF
| Copyright © 2008 Dynex Semiconductor Copyright © 1995-2008 I-Next Ltd |
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