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Dynex Semiconductor Ltd ist der einzige Geschäftsbereich von Dynex
Power Inc. Der Firmensitz befindet sich in Lincoln, England auf
einem 9000m2 großen Gelände. Auf dem Gelände steht eine
vollintegrierte Halbleiterfabrik mit Diffusion, Test und Verpackung,
Vertrieb sowie Forschung und Entwicklung. Die ursprüngliche Firma wurde im Jahr 1956 gegründet und firmierte seither unter den Handelsnamen:
Qualitätssicherung Als einer der führenden Lieferanten von Hochleistungshalbleitern und Satzbauten arbeitet Dynex mit einem TQM(Total Quality Management) System, das darauf ausgerichtet ist, die Kunden mit Produkten und Dienstleistungen auf höchstem Niveau zu versorgen. Das System ist prozessbasiert und konzentriert sich auf die Einhaltung der vom Kunden gestellten Anforderungen durch ein Programm der dauernden Verbesserung der Technik, Prozesse und Einrichtungen. Dynex trägt zur Bewahrung unserer Umwelt bei, indem das Inhaus-Umweltmanagementsystem als ein wichtiger Bestandteil guter Geschäftsführung betrachtet wird. Dynex Semiconductor Ltd ist zertifiziert nach ISO 9001:2008 und ISO 14001:2004. ISO 9001:2008 Certificate (PDF) ISO 14001:2004 Certificate (PDF) Dynex hält auch die Richtline "Restriction of Hazardous Substances Directive" (RoHS) der Europäischen Gemeinschaft ein. A General Statement on Compliance with RoHS Dynex Semiconductors Richtlinien zu Umwelt und Qualität Umweltrichtlinien Qualitätsrichtlinien Bipolar Leistungshalbleiter Das Dynex Produktspektrum umfasst Netzthyristoren(SCR), Netzdioden, GTO-Thyristoren(GTO) und deren zugehörige Dioden, sowie Thyristoren für Pulsanwendungen. Die Dynex Netzthyristoren sind mit der neuesten Ionenimplantierungstechnik (i2) ausgestattet, die deutlich reduzierte Durchlaßverluste erzeugt und im Zusammenspiel mit einem reduzierten thermischen Widerstand beträchtlich höhere Leistungen im selben Gehäuse erlaubt. Sperrspannungen reichen von 1200V bis 8500V und Nennströme von 500A bis 7000A. Die Dynex Netzdioden eignen sich besonders für Eingangsgleichrichter von IGBT Umrichtern und Hochstromanwendungen wie Aluminiumschmelzen oder Eisenbahnunterwerken. Die Sperrspannungen gehen bis 6kV und die Stromnennwerte bis 11kA. Dynex steht hinter der Fortführung der Produktion von GTO-Thyristoren für den Bau neuer Lokomotiven und der Wartung und Renovierung von alten Loks. Die Baureihe passt für große Loks bis hinunter zu Straßenbahnantrieben und Bordnetzstromversorgungen. Pulse Power ist eine sich entwickelnde Technologie und Dynex produziert eine Reihe von asymmetrisch Sperrenden 4500V Thyristoren dafür. Diese sind optimiert für extrem schnelles Einschalten und hohe Spannungsfestigkeit. Für Hochspannungsschalter werden diese Thyristoren in Reihe geschalten. Hochleistungs IGBT Module Dynex bietet eine umfassende Reihe von IGBT Modulen und dazu passenden Diodenmodulen an. Die Modul-Familie umfasst den Sperrspannnungsbereich von 1200V bis 6500V und Nennströme von 100A bis 3,600A. Die Module gibt es als Einzelschalter, Halbbrücke, Tiefsetz- und Hochsetzsteller sowie als bidirektionalen Schalter. Die Module werden mit der Vorgabe entwickelt und gefertigt, den strengsten Leistungsanforderungen des Marktes gerecht zu werden. Das Inhaus IGBT Entwicklungsteam entwickelt die IGBT Chips und Module, die dann in der extra dafür gebauten Fab in Lincoln gefertigt werden. Diese Nähe erleichtert die umfassende Kontrolle der Fertigungsverfahren vom Chip bis zu den geprüften Modulen. Der Anwendungsbereich liegt in der Eisenbahntechnik, in Schiffsantrieben, Industrieumrichtern und Windkraftwerken. Hochleistungs Satzbauten Die Satzbauabteilung entwickelt und fertigt kundenspezifische Baugruppen nach elektrischen, thermischen und mechanischen Vorgaben. Die lange Erfahrung im Umgang mit Leistungshalbleitern, Kühlkörpern, Schutzbeschaltungen, Treiberschaltungen sowie Symetrierungskomponenten erlaubt Dynex luft-und wassergekühlten Baugruppen mit Thyristoren, GTO, Dioden und IGBT herzustellen. Silicon on Sapphire IC's mit hoher Zuverlässigkeit für die Raumfahrt Die Dynex Anlage in England ist einzigartig in der Fähigkeit komplette Elektronikkomponenten für die Raumfahrt aus einer Hand fertigen zu können. Die Fabrik ist mit über 20 Jahren Herstellungserfahrung Weltmarktführer beim Bau von Raumfahrtelekronik. SOS(Silicon on Saphire) ist eine ausgereifte Technologie mit einer langen und erfolgreichen Geschichte beim Einsatz in Raumfahrtprogrammen. Umfassende Strahlenfestigkeitsdaten sind für die meisten Dynex Raumfahrtprodukte vorhanden. Das Qualitätssystem hält alle Voraussetzungen nach MIL883(USA) und ISO9001 ein. Es gibt eine zunehmende Nachfrage nach Raumfahrtsystemen, die Strahleneinwirkungen überleben und den fortlaufenden Betrieb sichern können. Von allen gegenwärtig verfügbaren Halbleitertechnologien bietet nur SOS den notwendigen Widerstand gegen die Gefahren eines Ausfalles durch Einzelereignis, Kurzzeitbestrahlung oder Dauerbestrahlung an. |
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